stm32flash读写速度（stm32flash读写速度提升方法）
stm32f103c8t6 flash有多大
类别：集成电路（IC）
家族：嵌入式 - 微控制器
核心尺寸：32位速度
速度：72MHz
外围设备：DMA，电机控制PWM，PWM，PWM，温度传感器
输入/输出数量：37
程序存储器容量：64KB (64K x 8)
程序存储器类型：FLASH
RAM容量：20K x 8
电源电压（Vcc /Vdd）： 2 V ~ 3.6 V
数据转换器：A/D 10x12b
振荡器类型：内部
工作温度：-40°C ~ 85°C
封装/箱：48 -LQFP
封装：托盘
单片机的程序存储器flash的读取速度是多少
C8051F120的工作频率已达到100MHz，但其Flash的状态尚不清楚。看起来运行得这么高，却没有增加延迟。但和STM32一样，在48MHz时有1个周期的延迟，在72MHz时有2个周期的延迟。当然，如果有些微控制器想要更快，他们只需将闪存中的代码复制到RAM中然后执行即可，因此无需等待。 问
的主要目的是想了解这些不把代码复制到ram的微控制器是如何协调flash指令读取和指令执行之间的时间关系的。一次读取的多个字节是否缓存在某处，或者闪存本身是否具有较高的读取速度。
后续我猜是直接读取的...ARM微控制器是预读取并缓存在某处的。
如何提高stm32io读写速度
设置适当的编译优化选项。
STM32在正常工作时对程序运行效率要求不是很高，但在中断时需要快进和快出。特别是当中断数量较多、中断中处理的任务较多时，对程序运行时间和效率的要求更加严格。 ，可以从以下几点优化程序： 设置合适的编译优化选项
优化级别-O0
-O0禁用所有优化。使用 -O0 可以加快编译和构建时间，但生成的代码比其他优化级别更完整。与其他优化级别相比，-O0 的代码大小和堆栈使用率明显更高。生成的代码与源代码密切相关，但生成的代码要多得多，包括死代码。
优化级别 -O1
-O1 支持编译器中的核心优化。由于此级别提供比 -O0 更好的代码质量，因此提供了良好的调试体验。堆栈使用率也比 -O0 有所改善。为了获得良好的调试体验，Arm 建议使用此选项。
如何使用stm32cubemx设置FLASH读写配置
1。创建新项目
打开STM32cubeMX软件，点击New Project。选择对应的开板MCU（STM32F103ZET6）。
选择项目后，进入项目界面，如下图所示。
2。配置外围设备。
RCC 设置，选择 HSE（外部高速时钟）为 Crystal/Ceramic Resonator（晶振/陶瓷谐振器）
GPIO 端口功能选择，PF6、PF7、PF8、PF9 为 LED1-LED4。找到对应的引脚设置为GPIO_Output模式。 （黄色引脚表示该功能的GPIO已用于其他功能，可以忽略。绿色表示该引脚已被使用）
3。时钟配置
时钟配置采用图形化配置，直观、简单。每个外设时钟一目了然。 STM32的最大时钟为72M。这里只需在HCLK处输入72，软件即可自动配置。 （RCC选择外部高速时钟）。？ Timer
Analog（模拟）：DAC、ADC
Connectivity（通信连接）：串口、SPI、I2C、USB、ETH
SYStem（系统）：DMA（直接内存访问）、GPIO、NVIC、 RCC、看门狗
middlewares（中间件）：FreeRTOS、FATFS、LwIP、USB
在这个项目中，DMA没用，不需要配置，NVIC（Nested Vectored Interrupt Controller）配置中断优先级。 RCC不需要配置。
GPIO 引脚电平：低电平
GPIO 模式：推挽输出
最大输出速度：低速
用户标签）：LED1
更改用户标签，引脚配置图将显示引脚的标签。
4。功耗计算
这个计算是根据配置的外设来计算功耗的，所以不用担心。
5。生成工程报告
以上是小编对stm32flash读写速度（stm32flash读写速度提升方法）及相关问题的解答。 stm32flash读写速度（stm32flash读写速度提升方法）问题希望对您有用！
